半導體快速熱處理專用HD減速機CSD-20-100-2UH旋轉半導體晶片的方式使其加熱溫度或使成長在晶片表面的薄膜能夠更為均勻，請參閱圖2，其繪示的是現有RTP方法的流程圖。首先，如步驟42，先將半導體晶片載入剛剛降溫下來的RTP反應艙中，其中半導體晶片平放在石英針上，且一開始，半導體晶片的溫度約為室溫，低于RTP反應艙的內壁溫度(通常為30至80℃)。接著，如步驟44，使半導體晶片水平旋轉。接著，如步驟46，將工藝氣體導入RTP反應艙中。最后，如步驟48，以儲存在計算機中的預設升溫程序，開始進行半導體晶片的加熱。然而，上述現有技藝以旋轉半導體晶片方式進行均勻熱處理的RTP方法卻容易導入微粒污染。
因此，半導體快速熱處理專用HD減速機CSD-20-100-2UH本發明的主要目的在提供一種改良的半導體晶片熱處理方法，以解決在RTP工藝中可能產生的微粒污染問題。
根據本發明的優選實施例，本發明揭露一種半導體晶片的快速熱處理方法，包括以下步驟(1)提供一快速熱處理(RTP)反應艙，其包括有至少一加熱源、一旋轉驅動機制，用以轉動半導體晶片，以及一冷卻系統，用以冷卻該RTP反應艙的內壁；(2)將一半導體晶片載入該RTP反應艙中，此時該RTP反應艙的內壁由該冷卻系統降溫至溫度；(3)以該加熱源快速預熱該半導體晶片至一溫度，其中該溫度高于該溫度；以及(4)當該半導體晶片的溫度到達該溫度時，始啟動該旋轉驅動機制，半導體快速熱處理專用HD減速機CSD-20-100-2UH進行該半導體晶片的旋轉，且同時間亦持續將該半導體晶片的溫度拉升至第三溫度。
為了進一步了解本發明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發明加以限制。
