P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性專(zhuān)用HD減速機(jī)CSD-50-100-2UH，也稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。是在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性專(zhuān)用HD減速機(jī)CSD-50-100-2UH在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)就形成P型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性專(zhuān)用HD減速機(jī)CSD-50-100-2UH在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性專(zhuān)用HD減速機(jī)CSD-50-100-2UH使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。