載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH(Intrinsic carrier concentration)為本征半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度，常用值為300K。

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本征載流子濃度越高;與禁帶寬度有關，同樣的溫度下，禁帶寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本征載流子濃度越高。

載流子的濃度與溫度哈默納科減速機CSG-20-50-2UH本征半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度。

本征載流子濃度在硅(Si)中的計算公式為:

ni(T)=5.29×10(T/300)exp(?6726/T)

其中，絕對溫度T常用值為300K，此時硅的本征載流子濃度約為1.5*10^10 cm。

• 半導體載流子計算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p為載流子濃度,個T為熱力學溫度,E(go)為為熱力學零度時破壞公價鍵所需的能量,k為玻耳茲曼常數.
• 半導體載流子即半導體中的電流載體。在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體中，存在兩種載流子，電子以及電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴)均被視為載流子。通常N型半導體中指自由電子，P型半導體中指空穴，它們在電場作用下能作定向運動，形成電流。