哈默納科芯片半導體諧波LA-30B-10-F-L
半導體芯片的制造可以分為制造準備、制造過程兩個階段。哈默納科芯片半導體諧波LA-30B-10-F-L制造準備階段需要做的工作包括集成電路設計、掩模板設計制造、硅片的制備、制造環境的創建。芯片制造過程包括的主要工藝有薄膜生成工藝（氧化、淀積）、圖形轉移工藝（光刻、刻蝕）、摻雜工藝（擴散、離子注入）以及其他輔助工藝（熱處理哈默納科芯片半導體諧波LA-30B-10-F-L、清洗、CMP）等。芯片制造工藝設備按照工藝過程組成相應的生產線。
1. 半導體芯片制造工藝
以64GbCOMS器件制造為例，整個工藝過程大約需要180個主要步驟、52個清洗/剝離步驟以及多達28塊掩模板。這些工藝步驟基本上都屬于上述四種基本工藝。如果集成電路的特征值進一步減少時，哈默納科芯片半導體諧波LA-30B-10-F-L需要的工藝步驟數將會增加到500或更多。
